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一文看懂芯片的封装工艺(传统封装篇)
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简介今天这期,小枣君重点来聊聊封装的具体工艺流程。之前介绍了,封装有很多种形式,包括传统封装和先进封装。图片不同的封装,流程和工艺不一样。我整个写完之后,发现字数太多1万多字)。为了降低阅读难度,我决定拆 ...
今天这期,懂芯小枣君重点来聊聊封装的片的篇具体工艺流程 。
之前介绍了 ,封装封装封装有很多种形式 ,工艺包括传统封装和先进封装。传统
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不同的懂芯封装 ,流程和工艺不一样 。片的篇我整个写完之后,封装封装发现字数太多(1万多字) 。工艺为了降低阅读难度 ,传统我决定拆成两篇(传统封装篇、懂芯先进封装篇)来发。片的建站模板篇
今天先发的封装封装 ,是工艺传统封装篇。
传统封装的传统工艺流程
传统封装 ,大致流程是这样的 :
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我们一个个来看 。
减薄传统封装的第一步,是对晶圆进行减薄()——通过研磨晶圆背面的方式,减少晶圆的厚度(从原始的高防服务器600–800μm减薄到几十至一百μm,甚至更薄)。
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减薄的目的主要有三个:
一是减小芯片的尺寸 ,满足封装的要求 。
二是获得更好的散热效果 。
三是提升电学性能,降低寄生效应(芯片过厚会增加寄生电容和信号传输延迟)和导通电阻。
减薄也需要注意,模板下载避免影响晶圆的机械强度,否则可能导致晶圆在后面的工艺中发生破裂 。另外,减薄过程中产生的热应力,也可能导致晶圆弯曲 、报废。
目前减薄所采用的工艺 ,就是晶圆制造那期说的CMP机械化学研磨那些 。
减薄ing
减薄之后 ,要开始正式切割(Dicing)了 。
切割前,在晶圆的正面覆盖一层保护蓝膜,以防止在切割过程中晶粒受损 。
晶圆非常脆弱。随着时间的推移 ,芯片的精密度越来越高 ,晶圆上芯片的间隙越来越小 ,对切割技术的要求也就随之增加。
早期常用的云计算切割方式 ,是机械切割。通过高速旋转的超薄金刚石刀片 ,沿着晶圆上预先设定的沟槽(即晶圆划线),就可以完成切割。
切割过程中,会用纯水冲洗,进行冷却 ,同时去除碎屑 。
机械切割比较简单 、成本较低 ,但是,服务器租用切割精度不高、速度慢、容易出现崩边等问题,所以 ,逐渐被淘汰 。

后来 ,就有了激光切割,也就是通过高能量激光束进行切割。
激光切割也分为全切和隐切两种。
全切:激光束直接照射在晶圆表面,贯穿整个晶圆厚度,完全切断晶圆 。这种方法切割速率极快,但会产生碎屑和热量,需要进行清理和冷却。
隐切 :分为两步,首先使用激光束聚焦于晶圆的内部 ,在晶圆内部形成微细的裂纹 ,而表面保持完整 。然后,通过机械手段,均匀拉伸贴在晶圆背后的胶带。随着胶带的扩展 ,晶圆上的单个芯片沿着激光预切割的路径分离开来,完成切割 。
激光隐切避免了传统激光切割的热损伤问题,非常适用于超薄半导体硅片的高速和高质量切割。
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再后来,又出现了等离子切割。
它通过将气体等离子化 ,使等离子与切割道内的硅反应,完成切割 。
等离子切割速度快 、损伤小 ,特别适用于超小尺寸芯片的切割。同时,它可以减少切割道的宽度 ,增加圆片设计的芯片数量 ,进一步降低芯片成本 。
贴片(粘连、粘接)晶粒切割下来之后,需要进行贴片(粘连 ,Die Attach) 。
传统封装的贴片 ,是把晶粒和封装基板(Substrate)粘接起来。
封装基板,又叫IC载板,是一种特殊的PCB印刷线路板。
它具有高密度、高精度 、轻薄化的特点,能够为芯片起到支撑 、连接、散热和保护的作用 。
传统封装中常用的粘接方式包括胶粘剂粘接 、焊接粘接 、共晶粘接 。
环氧树脂,是常用的有机胶粘剂 。通过热固化,可以达到粘接目的。
环氧树脂本身绝缘 ,如果掺入一定比例的银粉,就具备了导电的能力,变成导电胶,也称为银胶,应用更广泛。
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焊接粘接,是通过熔融焊料实现芯片与基板连接,包括软钎焊(使用低熔点的焊料,如锡铅合金)和硬钎焊(使用高熔点的焊料,如金硅合金) 。
共晶粘接,利用两种或多种金属在共晶温度下形成共晶合金 ,来实现连接 。连接强度高、导热性能好 ,但是工艺复杂 、成本较高。
共晶粘接
贴片会用到贴片机 。贴片机也有很多种,包括SMT贴片机 、先进封装贴片机等。
贴片对精度的要求很高,如果发生哪怕很小的偏差,都可能导致芯片无法工作 。
在贴片的过程中,也需要考虑可能造成的机械损伤,以及贴片材料可能引起的热传导问题(无法正常散热)。
(再次提醒注意:这篇讲的是传统封装。现在普遍使用的是先进封装,工艺有很大的区别 。大家千万不要生搬硬套。)
焊线贴片之后 ,还要将晶粒与基板进行电气连接。
传统封装都是通过金属线进行连接,所以也叫焊线工艺。
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焊线
焊接的时候 ,需要通过加热 、加压和超声波能量,破坏表面氧化层和污染 ,产生塑性变形,使界面亲密接触 ,形成电子共享和原子扩散 ,从而形成稳定的焊点。
热超声焊过程
焊线所使用的材料 ,一般是金、银、铜 、铝。
黄金具有导电性能好 、化学性能稳定、球焊速度快 、抗氧化 、不与酸和碱发生反应等优点,但价格昂贵,使用占比在不断下降 。
银比金便宜,但也还是有点贵 。
铝虽然成本较低 ,但稳定性较差 ,良率相对较低。
铜的成本和性能比较均衡 ,目前使用较为普遍(尤其是在中低端产品) 。
高密度引线的示例
清洗就不用说了 。
检测,除了借助低倍放大镜对产品外观进行检查之外 ,还可以进行AOI(自动光学检测)。
AOI检测
AOI具有三大显著优势:
一是检测效率特别高,可实现每分钟数百个元器件的全检。
二是具备量化检测能力 ,能记录缺陷尺寸 、位置等数据 ,便于工艺追溯与改进。
三是可以检测人眼难以识别的微观缺陷,如焊点虚焊 、微裂纹等。
在半导体封测领域 ,AOI一般有四次(四道)。
第一道光检是晶圆检测,第二道光检是颗粒外观缺陷检测 ,第三道光检贴片/引线键合检测(就是现在这次),第四道光检是塑封外观检测(待会会做)。
模封(塑封 、注塑)下一步,就要进行模封。
这里要说一下 ,根据材料的不同 ,封装可以分为塑料封装 、陶瓷封装和金属封装三种类型。
陶瓷封装和金属封装的密封性好、散热性好 ,但价格昂贵、生产周期长,所以主要用于航空航天和军事领域。
塑料封装的散热性、稳定性 、气密性相对较差,但是重量轻 、体积小 、价格便宜 ,所以目前仍然是民用商业化领域的主流选择。
我国半导体封装中,有90%以上采用塑料封装。而在塑料封装中,有97%以上利用环氧塑封料作为包封材料。
环氧塑封料(Epoxy Molding Compound ,简称EMC),全称为环氧树脂(就是前面贴片工艺提到的那个)模塑料 ,是用于半导体封装的一种热固性化学材料 。它能够很好地保护芯片,免受外界环境(水汽 、温度、污染等)的影响,实现导热、绝缘、耐湿、耐压 、支撑等复合功能。
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模封有转移成型和液态封装两种工艺。前者,是将环氧树脂塑封料熔融,在压力和温度的作用下,注入模具中 ,把裸芯片给封起来。后者,主要用于超薄或柔性封装 。
为确保芯片的稳定性和安全性,在一些特殊需求下,会在其上安装一个金属保护盖,这一过程称为Lid Attach。此保护盖通常采用散热性能优异的合金制成 。
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模封之后 ,还要经过去溢料(De-flash)工艺 ,目的是去除模封后在芯片周围的溢料。
去溢料的方法 ,主要是弱酸浸泡 ,高压水冲洗。
后固化去溢料之后 ,是后固化(Post-Mold Cure)工艺,在150–180°C下烘烤数小时,使塑封材料完全固化 ,提升机械强度。
植球对于传统封装里的BGA(球栅阵列)封装,还要在芯片表面精确地放置焊料球(锡球),以实现芯片与电路板之间的电气连接。这个工艺叫做植球。
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这个球不是直接往基板上焊的 ,会用到锡膏或者助焊膏。
先用锡膏印刷到焊盘上,再在上面加上一定大小的锡球 。这时 ,锡膏会粘住锡球。通过加热升温 ,可以让锡球的接触面更大,使锡球的受热更快更全面 。这就使锡球熔锡后与焊盘焊接性更好,降低虚焊的可能性 。
(下期我们讲先进封装Bumping凸点工艺的时候 ,还会再讲到焊球 。)
电镀(浸锡)为了提升管脚的导电性 、可焊性并增强其耐腐蚀性,减少外界环境潮湿和热的影响,会利用金属和化学的方法 ,在管脚上镀上一层锡、镍、钯 、金等材料 。
现在因为欧盟Rohs的要求,一般都采用无铅电镀 ,用的是99.95%的高纯度锡(Tin)。
无铅电镀后的产品,会要求在高温下烘烤一段时间(退火) ,消除电镀层潜在的晶须生长(Whisker Growth)问题 。
切筋 、成型(打弯)切除多余框架材料。对于有引脚的封装类型(如SOP、QFP) ,需要将引脚弯折成标准形状 。
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在封装完成之后 ,会再次进行测试。
在封装工艺之前的测试,是晶圆检测(CP ,Circuit Probing),又称中测 。
在封装工艺之后的测试 ,是成品测试(FT ,Final Test),又称终测 。
成品测试是针对封装好的芯片 ,进行设备应用方面的全面检测。这是一个重要环节,旨在确保芯片在正式出货前,其功能和质量均达到预期标准 。
与CP测试类似 ,FT测试同样依赖于ATE自动测试机台设备 ,同时辅以测试版和分选机等工具 ,共同确保测试的精准度和效率 。
为了弥补ATE测试在复杂度和故障覆盖率方面的不足 ,还会引入SLT系统级测试 。
SLT测试基于芯片的实际应用场景进行设计,通过精心打造的测试板和严谨的测试流程 ,力求模拟出真实的业务流环境,从而将芯片产品的缺陷率降至更低,提升用户的信任度 。
打标测试结束之后,可以打标(Marking)了。
通过激光打印的方式,在芯片表面印上芯片生产商的Logo、产品名称、生产批次等信息 ,方便后续使用过程中的辨识。
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根据客户的要求,将待测品从标准容器内分类包装到客户指定的包装容器内,并粘贴必要的商标,就可以发货出厂。要么是零售 ,要么是发给OEM厂商。
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