最多将提供256个内核， 2nm工艺高性能CPU即将发布，3nm逐步走向成熟

虽然随着技术的最多逐步走发展，摩尔定律已经失效，将提即但是供个工艺高性芯片工艺制程技术的进步 ，也正在创造着新的内核能历史 。根据wccftech报道 ，发布AMD未来基于Zen 6内核架构的成熟第六代EPYC Venice CPU将采用台积电2nm制程，并计划将处理器核心提升至最多达256个
，最多逐步走缓存总容量也将达到1GB。将提即

在去年的供个工艺高性“AMD Tech Day 2024”上，AMD正式更新了CPU的内核能技术路线图
，源码库并首次公开确定了Zen 5系列之后将是发布Zen 6系列架构，分为Zen 6和Zen 6c。成熟根据最新曝光的最多逐步走资料显示，新一代的将提即AMD EPYC 9006系列将与台积电合作  ，首款产品将采用台积电N2工艺 ，供个工艺高性面向场景为高性能计算 。

资料显示，AMD EPYC 9006系列代号为Vencie（威尼斯），并将分别推出标准版的Zen6和高能效版Zen6c两个版本产品 。

其中 ，Zen 6c将采用SP7接口，每个CCD 将设计为32个核心，建站模板总的核心数量将达到256个内核512个线程 ，并支持16通道DDR5-6400内存。除此之外，AMD Zen 6c还为每个CCD配备了128MB三级缓存，总计缓存容量多达1GB。除了拥有更高的性能之外，Zen6c架构的热设计功耗也高达600W。

AMD Zen 6架构采用了两种不同的接口 ，其中采用SP8封装接口的产品将配置12个CCD ，最多将达到96核心192线程 ，并且支持4/8通道DDR5-6400。源码下载采用SP7封装接口的产品将采用16个CCD设计，最多将达到128核心256线程
，支持16通道DDR5-6400 。两者的热设计功耗均为350-400W。

根据AMD公布的计划 ，第六代EPYC处理器预计在2026年推出 ，这也是业界首款以台积电（TSMC）N2工艺技术流片的高性能计算（HPC）芯片。

从Venice流出的一张局部内核图我们可以清楚地看到，左侧四个CCD，每个CCD 12核心
，模板下载显然右侧还有四个CCD
，而中间似乎是两个IOD。

目前 
，采用Zen 5架构AMD 9005系列处理器是AMD的主力产品。通过数据的对比，我们可以更加直观地看到下一代AMD 9006系列处理器的技术进步 。Zen 5架构仍旧有Zen 5和Zen 5c两种规格的产品组成，其中Zen 5架构的处理器采用4nm工艺，每颗芯片内最多16个，服务器租用总计最多128核心256线程。Zen 5c采用3nm工艺 ，每颗芯片内最多12个，总计最多192核心384线程。

据了解 ，采用台积电2nm GAAFET架构的AMD第六代EPYC处理器已经完成了流片，采用全环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）技术的台积电2nm工艺技术上取得了重大的突破
，已经具备了量产的能力。据了解，相比传统FinFET架构，GAAFET晶体管密度提升30% ，漏电率显著降低，高防服务器功耗和性能优化明显 。

除了2nm工艺之外  ，台积电仍然在持续优化3nm技术。通过改进工艺节点，台积电推出了多个3nm版本，包括基础版N3 、增强版N3E（性能提升5%） 、高性能版N3P（性能提升10%
，功耗降低5-10%）以及面向汽车电子的N3AE等。通过这种工艺版本化的策略 ，台积电不仅满足了不同客户需求 ，还通过持续优化延长了3nm的技术生命周期  。

在生产制造方面，台积电通过AI驱动的工艺控制系统（如Smart Manufacturing平台）
，实时优化2000余项参数 ，使3nm工艺的过程能力指数（CPK）稳定在1.67，远超行业基准1.33。同时，缺陷检测周期缩短了40% ，显著提升了量产效率。

除了台积电之外 ，三星采用全环绕栅极（GAA）晶体管技术的3nm MBCFET架构也通过SF3E
、SF3P等版本的迭代 ，使其良率不断提升  。当然，受初期良率不足问题影响，仍然需要一定的时间来取得客户信任 。

可以说
，虽然采用2nm技术工艺的产品即将面世 ，但随着3nm技术工艺的不断成熟，未来很长一段时间内仍然是芯片产品的首选 。